2024 Autor: Elizabeth Oswald | [email protected]. Zuletzt bearbeitet: 2024-01-13 00:02
Der allgemeine Ausdruck für die Flankensteilheit unterhalb der Schwelle Die Flankensteilheit unterhalb der Schwelle ist ein Merkmal der Strom-Spannungs-Kennlinie eines MOSFET. Im Subthreshold-Bereich ähnelt das Verh alten des Drain-Stroms – obwohl es vom Gate-Anschluss gesteuert wird – dem exponentiell abnehmenden Strom einer in Durchlassrichtung vorgespannten Diode. https://en.wikipedia.org › wiki › Subthreshold_slope
Steigung unter der Schwelle - Wikipedia
(swing) ist S=(d(log10Ids)/dVgs)-1. Oder nehmen Sie aus dem obigen Diagramm bei sehr niedrigen Vgs die Ableitung der logarithmischen Werte von Ids in Bezug auf Vgs und invertieren Sie dann den resultierenden Wert.
Was ist mit unterschwelligem Swing gemeint?
Der unterschwellige Hub ist definiert als die erforderliche Gate-Spannung . den Drain-Strom um eine Größenordnung zu ändern, eins . Jahrzehnt. Beim MOSFET ist der Unterschwellenhub begrenzt. bis (kT/q) ln10 oder 60 mV/dec bei Raumtemperatur und mit.
Was ist ein unterschwelliger Steigungsfaktor?
Die Steilheit unterhalb der Schwelle ist ein Merkmal der Strom-Spannungs-Kennlinie eines MOSFET . … Ein dec (Dekade) entspricht einer 10-fachen Erhöhung des Drain-Stroms ID. Ein Gerät, das sich durch eine steile Flanke unterhalb des Schwellenwerts auszeichnet, weist einen schnelleren Übergang zwischen dem Aus- (niedriger Strom) und dem Ein-Zustand (hoher Strom) auf.
Welche Bedeutung hat der unterschwellige Swing?
Der unterschwellige Swing ist ein wichtiger Parameter inModellierung des schwachen Inversionsregimes, insbesondere für analoge Anwendungen mit hoher Verstärkung, Bildgebungssch altungen und Niederspannungsanwendungen.
Wie ändert sich der Subthreshold-Strom mit der Gate-Spannung?
Diese Reduzierung bedeutet, dass die Gate-Spannung weniger unter den Schwellenwert schwingt, um das Gerät auszusch alten, und da die Leitung unterhalb des Schwellenwerts exponentiell mit der Gate-Spannung variiert (siehe MOSFET: Absch altmodus), wird dies immer wichtiger, wenn MOSFETs schrumpfenGröße.
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