2024 Autor: Elizabeth Oswald | [email protected]. Zuletzt bearbeitet: 2024-01-13 00:02
Die Schottky-Diode, auch bekannt als Schottky-Sperrdiode oder Hot-Carrier-Diode, ist eine Halbleiterdiode, die durch den Übergang eines Halbleiters mit einem Metall gebildet wird. Es hat einen geringen Durchlassspannungsabfall und eine sehr schnelle Sch altwirkung.
Welches Metall wird nicht in Schottky-Dioden verwendet?
Titansilizid und andere hochschmelzende Silizide, die den für Source/Drain-Ausheilung in CMOS-Prozessen erforderlichen Temperaturen standh alten können, haben normalerweise eine zu niedrige Durchlassspannung, um nützlich zu sein. Daher bieten Prozesse, die diese Silizide verwenden, normalerweise keine Schottky-Dioden.
Wofür wird eine Schottky-Diode verwendet?
Schottky-Dioden werden wegen ihrer niedrigen Einsch altspannung, schnellen Erholzeit und verlustarmen Energie bei höheren Frequenzen verwendet. Diese Eigenschaften machen Schottky-Dioden in der Lage, einen Strom gleichzurichten, indem sie einen schnellen Übergang vom leitenden in den Sperrzustand ermöglichen.
Wie erkennt man eine Schottky-Diode?
Die Schottky-Diode wird sowohl in Vorwärts- als auch in Rückwärtsrichtung gemessen. Wenn das re a ist, zeigt die Messung in Abbildung 8-25, dass die Röhre eine Siliziumdiode ist. Wenn es sich um eine Germaniumdiode handelt, sollte die Durchlassspannung weniger als 0,3 V betragen.
Was ist der Unterschied zwischen einer normalen Diode und einer Schottky-Diode?
Die herkömmliche Diode verbraucht 0,7 V, sodass nur 1,3 V übrig bleiben, um die Last mit Strom zu versorgen. Mit ihrem geringeren Durchlassspannungsabfall verbraucht die Schottky-Diode nur0.3V, wobei 1.7V verbleiben, um die Last mit Strom zu versorgen. … Weitere Vorteile der Verwendung einer Schottky-Diode gegenüber einer normalen Diode sind: Schnellere Erholungszeit.
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Die Sperrverzögerungszeit von Schottky-Dioden ist extrem schnelle (aber weiche) Erholungscharakteristik. … Auch Schottky-Gleichrichter haben maximale Nennsperrschichttemperaturen typischerweise im Bereich von 125 °C bis 175 °C, verglichen mit den typischen 200 °C für herkömmliche pn-Übergänge, was das Leckstromverh alten weiter beeinflusst.